自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
2005-12-28
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-06-15
语种中文
申请号CN200410048229.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3149
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴洁君,黎大兵,陆沅,等. 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法[P]. 2005-12-28.
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