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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期
2003 [131]
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共131条,第1-10条
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发表日期:2003
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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70
75
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85
90
95
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang YQ
;
Chen WD
;
Liao XB
;
Cao ZX
;
Cao ZX,State Key Lab Surface Phys,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:990/349
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Fang ZD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:899/298
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提交时间:2010/08/12
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1443/302
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提交时间:2010/10/29
Spectrum
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Ma BS
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Zhang XP
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1350/418
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提交时间:2010/08/12
Fabrication of semiconductor optical amplifiers and a novel gain measuring technique
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Huang YZ
;
Guo WH
;
Yu LJ
;
Lu XL
;
Tan MQ
;
Ma XY
;
Huang YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1220/276
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提交时间:2010/10/29
Spectra
Lasers
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LJ
;
Zhu MF
;
Liu FZ
;
Liu JL
;
Han YQ
;
Wang LJ,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,Beijing 100039,Peoples R China.
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浏览/下载:922/241
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提交时间:2010/08/12
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1306/260
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提交时间:2010/11/15
Wafer Bunding
Cubic Gan
Light-emitting-diodes
Field-effect Transistor
Single-crystal Gan
Microwave Performance
Mirror
Junction
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
;
Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
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浏览/下载:1208/242
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提交时间:2010/11/15
Soi
Nanostructure
Microelectronic Materials
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Xu ZJ
;
Liao XB
;
Li GH
;
Ding K
;
Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1040/288
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang QL
;
Feng BH
;
Zhang DX
;
Fu PM
;
Zhang ZG
;
Zhao ZW
;
Deng PZ
;
Jun X
;
Xu XD
;
Wang YG
;
Ma XY
;
Zhang QL,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Lab Opt Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:919/309
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提交时间:2010/08/12