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单晶炉的多管式结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-01-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  白玉珂
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高温高压气体容器的轴的动态密封装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  白玉珂
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GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 335
Authors:  郑红军;  卜俊鹏;  尹玉华;  白玉柯
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GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析 期刊论文
固体电子学研究与进展, 1999, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 111
Authors:  郑红军;  卜俊鹏;  何宏家;  吴让元;  曹福年;  白玉珂;  惠峰
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砷化镓晶片表面损伤层分析 期刊论文
稀有金属, 1999, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 241
Authors:  郑红军;  卜俊鹏;  曹福年;  白玉柯;  吴让元;  惠峰;  何宏家
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X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 635
Authors:  曹福年;  卜俊鹏;  吴让元;  郑红军;  惠峰;  白玉珂;  刘明焦;  何宏家
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ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究 成果
1996
Accomplishers:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
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Si-gaas  
集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究 成果
1991
Accomplishers:  林兰英;  何宏家;  刘巽琅;  曹福年;  白玉珂
Favorite  |  View/Download:774/0  |  Submit date:2010/04/13
半绝缘砷化镓  
水平法低位错GaAs的单晶 成果
1986
Accomplishers:  褚一鸣;  何宏家;  周伯骏;  曹福年;  白玉珂
Favorite  |  View/Download:749/0  |  Submit date:2010/04/13
Gaas