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GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析 | |
郑红军; 卜俊鹏; 尹玉华; 白玉柯 | |
2000 | |
Source Publication | 功能材料与器件学报
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Volume | 6Issue:4Pages:335 |
Abstract | 采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:608051 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18435 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郑红军,卜俊鹏,尹玉华,等. GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):335. |
APA | 郑红军,卜俊鹏,尹玉华,&白玉柯.(2000).GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析.功能材料与器件学报,6(4),335. |
MLA | 郑红军,et al."GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析".功能材料与器件学报 6.4(2000):335. |
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