GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析
	郑红军; 卜俊鹏; 尹玉华; 白玉柯
	2000
Source Publication	功能材料与器件学报
Volume	6 Issue:4 Pages:335
Abstract	采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47%，为下步工艺提供平整度较好的晶片。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:608051
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18435
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	郑红军,卜俊鹏,尹玉华,等. GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):335.
APA	郑红军,卜俊鹏,尹玉华,&白玉柯.(2000).GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析.功能材料与器件学报,6(4),335.
MLA	郑红军,et al."GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析".功能材料与器件学报 6.4(2000):335.

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