中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1411/231  |  提交时间：2010/11/15
Bimodal Distribution  Photoluminescence (Pl)  Quantum-size Effect  Ge  Ensembles  Si(100)  Growth  Shape  
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(127Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1316/307  |  提交时间：2010/11/15
Stress  Growth  
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Zhuang QD;  Li HX;  Pan L;  Li JM;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(130Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1262/339  |  提交时间：2010/11/15
X-ray-diffraction  Islands  Surfaces  Growth  
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1421/272  |  提交时间：2010/11/15
Stranski-krastanow Growth  Quantum Dots  Relaxation  Inas  
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(160Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/244  |  提交时间：2010/11/15
Heteroepitaxial Growth  Hydrocarbon Radicals  Si(001) Surface  Beam  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu ZM;  Li GH;  Liu NZ;  Wang SZ;  Han HX;  Wang ZP;  Zhu ZM,Acad Sinica,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：890/298  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu ZC;  Notzel R;  Jahn U;  Schonherr HP;  Fricke J;  Ploog KH;  Niu ZC,Paul Drude Inst Festkorperelekt,Hausvogteipl 5-7,D-10117 Berlin,Germany.
Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：990/297  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu HJ;  Wang ZM;  Wang H;  Cui LQ;  Feng SL;  Zhu HJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(98Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1068/434  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Ding D;  Gong Q;  Zhou W;  Xu B;  Wang ZG;  Sun ZZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(204Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1218/535  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng RW;  Wei GY;  Wu W;  Wang ZG;  Peng RW,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Met,Shanghai 200050,Peoples R China.
Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1022/254  |  提交时间：2010/08/12