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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Liu HY;  Zhang ZY;  Shi GX;  Zhang CL;  Wang YL;  Liu FQ;  Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Sellers IR;  Airey RJ;  Steer MJ;  Houston PA;  Mowbray DJ;  Cockburn J;  Skolnick MS;  Xu B;  Wang ZG;  Liu HY,Univ Sheffield,Dept Elect & Elect Engn,EPSRC,Cent Facil Semicond 3 5,Sheffield S1 3JD,S Yorkshire,England.
Adobe PDF(166Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1018/308  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia R;  Jiang DS;  Liu HY;  Wei YQ;  Xu B;  Wang ZG;  Jia R,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Supelattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(36Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1079/270  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia R;  Jiang DS;  Liu HY;  Wei YQ;  Xu B;  Wang ZG;  Jia R,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(156Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/377  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐波;  刘会贇;  王占国;  韩勤;  钱家骏;  梁基本;  丁鼎;  刘峰奇;  张金福;  张秀兰
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Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG;  Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Low Dimensional Structures  Molecular Beam Epitaxy  Nanomaterials  Inas Islands  Gaas  Growth  Gaas(100)  Thickness  Density  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Wei YQ;  Ding D;  Qian JJ;  Han Q;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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