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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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GaAs 基InAs 量子点的定位有序生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  任芸芸
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