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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
Inventors:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
Inventors:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
Inventors:  王国伟;  汤宝;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
Inventors:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张宇;  王国伟;  汤宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川;  陈良惠
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