一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法

	一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法; 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
	王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-08-30 ; 2011-07-14 ; 2011-08-30
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：GaSb衬底(1)；在该GaSb衬底(1)上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaSb缓冲层(2)、p型欧姆欧姆接触层(3)、InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层(8)；以及在该外延片上采用标准光刻技术及磷酸、柠檬酸溶液刻蚀露出p型欧姆欧姆接触层(3)，然后分别在p型欧姆欧姆接触层(3)和InAs盖层(8)上溅射合金制作的电极。本发明同时公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法。利用本发明，实现了利用InAs/GaSb超晶格材料制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器。
部门归属	半导体超晶格国家重点实验室
申请日期	2010-02-03
专利号	CN201010106773.X
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201010106773.X
专利代理人	周国城
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21841
专题	半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王国伟,汤宝,周志强,等. 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法, 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法. CN201010106773.X.

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