一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
2008-03-26
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-09-18
语种中文
申请号CN200610152201.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4149
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
郝瑞亭,周志强,任正伟,等. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法[P]. 2008-03-26.
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