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| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏
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| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊
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| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 源输送混合比可调气路装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 王晓亮; 肖红领; 陈竑; 殷海波; 冯春; 姜丽娟
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| 密封传动装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 王晓亮; 崔磊; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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