| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 | |
| 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2014-03-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2013-12-05 |
| 申请号 | CN201310652125.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25469 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延,冯玉霞,魏鸿源,等. 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管（1180KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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