铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法; 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法; 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法; 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-02-13
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-11-19
申请号CN201210467084.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25213
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,彭恩超,王翠梅,等. 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法.
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