双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法
王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-12-26
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-09-18
申请号CN201210348006.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25410
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,王翠梅,肖红领,等. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法.
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构(568KB) 限制开放使用许可请求全文
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