|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明 ; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
 Adobe PDF(1107Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1203/193 | 提交时间：2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
Adobe PDF(392Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1243/161 | 提交时间：2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇
Adobe PDF(548Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1129/178 | 提交时间：2009/06/11 |
| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
Adobe PDF(339Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1123/170 | 提交时间：2009/06/11 |
| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1042/151 | 提交时间：2009/06/11 |
| 变温霍尔实验仪 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于耀川; 徐寿定; 范东华; 胡长有; 周仁楷; 李瑞云; 李平江
Adobe PDF(126Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1156/145 | 提交时间：2009/06/11 |
| 紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102141736A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑凯; 赵懿昊; 李全宁; 熊聪
Adobe PDF(872Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1807/412 | 提交时间：2012/09/09 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(401Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1652/279 | 提交时间：2011/08/31 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(337Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1595/264 | 提交时间：2011/08/31 |
| 用于记录神经活动电信号的柔性探针电极及其植入工具 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231148.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 陈弘达; 李晓倩; 裴为华; 郭凯; 王宇
Adobe PDF(594Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1359/169 | 提交时间：2011/08/30 |
