|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林
 Adobe PDF(268Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1192/188 | 提交时间：2010/03/19 |
| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(330Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1384/249 | 提交时间：2010/03/19 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(1055Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1206/178 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
Adobe PDF(1046Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1226/138 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(843Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1181/186 | 提交时间：2009/06/11 |
| Si 基ZnO 材料MOCVD 生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 范海波
Adobe PDF(4071Kb) | 收藏 | 浏览/下载：719/33 | 提交时间：2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: CAI Fangfang; WEI Hongyan; FAN Haibo; YANG Anli; ZHANG Panfeng; LIU Xianglin
Adobe PDF(435Kb) | 收藏 | 浏览/下载：855/232 | 提交时间：2010/11/23 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
Adobe PDF(924Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1178/171 | 提交时间：2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
Adobe PDF(931Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1236/176 | 提交时间：2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
Adobe PDF(1107Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1177/193 | 提交时间：2009/06/11 |
