| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 | |
丁凯 ; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤1：选取一个衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤4：在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物，完成p型金属极性宽禁带半导体的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 专利号 | CN201010128387.0 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010128387.0 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22151 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁凯,张连,王军喜,等. 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法. CN201010128387.0. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010128387.0.pdf（337KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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