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一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
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单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
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新型高K 栅介质材料的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  李艳丽
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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