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一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
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单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
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新型高K 栅介质材料的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  李艳丽
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低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
Authors:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 429-431
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
Authors:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 期刊论文
真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156
Authors:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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