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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM;  Liu XL;  Li CM;  Wei HY;  Guo Y;  Jiao CM;  Li ZW;  Xu XQ;  Song HP;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL;  Yang TY;  Wang HH;  Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liujianming@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GP (Liu Guipeng);  Wu J (Wu Ju);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Li CM (Li Chengming);  Sang L (Sang Ling);  Song YF (Song Yafeng);  Shi K (Shi Kai);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wu J (Wu Ju);  Li CM (Li Chengming);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
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一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  李成明;  刘俊岐;  王占国
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