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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭银生;  叶小玲;  徐波;  牛洁斌;  贾锐;  王占国;  梁松;  杨晓红
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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi GX;  Jin P;  Xu B;  Li CM;  Cui CX;  Wang YL;  Ye XL;  Wu J;  Wang ZG;  Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Xu B;  Wang ZG;  Qu SC;  Liu FQ;  Zhu TW;  Ye XL;  Zhao FA;  Meng XQ;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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