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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  陈诺夫;  王占国
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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  蒋渭生
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, K;  Ma, XY;  Lin, T;  Wang, J;  Liu, SP;  Zhang, GZ;  Zheng, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhengkai@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, XM;  Wang, YG;  Liu, YY;  Lan, YS;  Lin, T;  Wang, J;  Wang, XW;  Fang, GZ;  Ma, XY;  Zhang, ZG;  Feng, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Wang J;  Wang JH;  Liu ZL;  Lin LY;  Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novl Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qywang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai L;  Liu SF;  Fu ZX;  You LP;  Zhu JJ;  Lin BX;  Zhang JC;  Qin GG;  Qin, GG, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: qingg@pku.edu.cn
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