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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2004
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期刊论文
作者:
Zhao FA
;
Chen YH
;
Ye XL
;
Jin P
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhang CL
;
Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Song SL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:939/251
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang JC
;
Yu DP
;
Li CY
;
Zhou JF
;
Wang YZ
;
Feng SQ
;
Wang, JC, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: wwwangjc@sina.com
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提交时间:2010/03/09
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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浏览/下载:1418/365
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
Tolerance analysis for incident angle of volume phase holographic grating used in optical channel performance monitor
会议论文
PROCEEDINGS OF THE THIRD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON INSTRUMENTATION SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOL 3, Xian, PEOPLES R CHINA, AUG 18-22, 2004
作者:
Xin HL
;
Li F
;
Cao P
;
He YJ
;
Chen P
;
Liu YL
;
Xin HL Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ocpm
Vphg
Incident Angle
Tolerance
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP
;
Zhang BS
;
Wu M
;
Li DB
;
Zhang JC
;
Jin RQ
;
Zhu JJ
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1020/330
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提交时间:2010/03/09
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期刊论文
作者:
Huang XQ
;
Liu FQ
;
Che XL
;
Liu JQ
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Huang, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqhuang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi GX
;
Jin P
;
Xu B
;
Li CM
;
Cui CX
;
Wang YL
;
Ye XL
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:993/286
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu W
;
Li DB
;
Li CR
;
Zhang Z
;
Li, CR, Chinese Acad Sci, Beijing Lab Electron Microscopy, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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浏览/下载:1162/418
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu ZH
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Xu YY
;
Hu, ZH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: huzhihua@public.km.yn.cn
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提交时间:2010/03/09