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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhu MF;  Liu FZ;  Liu JL;  Han YQ;  Wang LJ,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,Beijing 100039,Peoples R China.
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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical-absorption  Zns-te  Transition  Edge  
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen MB;  Cui RQ;  Zhang ZW;  Lu JF;  Wang LX;  Chi WY;  Xiang XB;  Liao XB;  Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Piezoelectric Field  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Tan PH;  Xu ZY;  Ge WK;  Tan PH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Li DB;  Zhang FQ;  Yang SY;  Ma BS;  Sun GS;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wan DY;  Wang BY;  Wang YT;  Sun H;  Zhang RG;  Wei L;  Wei L,Chinese Acad Sci,Inst High Energy Phys,Lab Nucl Anal Techniques,No 19,Yuquan Rd,Beijing 100039,Peoples R China.
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