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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li D. Y.);  Huang YZ (Huang Y. Z.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Ye XJ (Ye X. J.);  Chong M (Chong M.);  Chen LH (Chen L. H.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect & Nanooptoelec, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, HP (Huang, H. P.);  Zhu, NH (Zhu, N. H.);  Hasen, QQG (Hasen, Q. Q. G.);  Liu, Y (Liu, Y.);  Wang, X (Wang, X.);  Pun, EYB (Pun, E. Y. B.);  Chung, PS (Chung, P. S.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, G. S.);  Liu, XF (Liu, X. F.);  Gong, QC (Gong, Q. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Li, JM (Li, J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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