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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Li, K;  Hu, LJ;  Liang, LY;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
Adobe PDF(811Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/336  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang Hui;  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Chong Ming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang;  Ye Xiaojun;  Li Deyao;  Liu Zongshun;  Duan Lihong;  Zhao Wei;  Wang Hai;  Shi Yongsheng;  Cao Qing;  Sun Jie;  Chen Jun;  Liu Suying;  Jin Ruiqin;  Liang Junwu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  左玉华;  毛容伟;  王良臣;  余金中;  王启明
Adobe PDF(517Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1033/314  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖红领;  王晓亮;  张南红;  王军喜;  刘宏新;  韩勤;  曾一平;  李晋闽
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