SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN
刘喆; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:12Pages:2378-2384
Abstract采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaNC面生长.预铺薄层Al及高温AIN层可以提高GaN晶体质量,低温AIN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索。
metadata_83中国科学院半导体研究所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院创新工程重要方向性项目,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2198540
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16807
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘喆,王军喜,李晋闽,等. 在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN[J]. 半导体学报,2005,26(12):2378-2384.
APA 刘喆.,王军喜.,李晋闽.,刘宏新.,王启元.,...&曾一平.(2005).在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN.半导体学报,26(12),2378-2384.
MLA 刘喆,et al."在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN".半导体学报 26.12(2005):2378-2384.
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