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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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Si(111)上GaN的NH3-MBE生长及MSM 紫外探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  张南红
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在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2378-2384
Authors:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
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蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1169-1172
Authors:  肖红领;  王晓亮;  张南红;  王军喜;  刘宏新;  韩勤;  曾一平;  李晋闽
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