SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:6Pages:1169-1172
Abstract采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×10^18cm^3,相应的电子迁移率为262cm^2/(V·s).
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2091732
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16963
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
肖红领,王晓亮,张南红,等. 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长[J]. 半导体学报,2005,26(6):1169-1172.
APA 肖红领.,王晓亮.,张南红.,王军喜.,刘宏新.,...&李晋闽.(2005).蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长.半导体学报,26(6),1169-1172.
MLA 肖红领,et al."蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长".半导体学报 26.6(2005):1169-1172.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4460.pdf(344KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[肖红领]'s Articles
[王晓亮]'s Articles
[张南红]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[肖红领]'s Articles
[王晓亮]'s Articles
[张南红]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[肖红领]'s Articles
[王晓亮]'s Articles
[张南红]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.