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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [13]
作者
韩培德 [5]
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发表日期
2002 [13]
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发表日期:2002
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
袁海荣
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩培德
;
刘祥林
;
王晓晖
;
陆大成
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浏览/下载:1293/164
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提交时间:2009/06/11
自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆大成
;
王晓晖
;
姚文卿
;
刘祥林
Adobe PDF(1377Kb)
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浏览/下载:1116/119
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提交时间:2009/06/11
半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
袁海荣
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL
;
Yuan HR
;
Han PD
;
Wang D
;
Wang ZG
;
Li GH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Li YF
;
Yuan HR
;
Lu Y
;
Bing LD
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wang XF
;
Yan L
;
Chen Z,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Chen Z
;
Han P
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat & Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu Y
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Chen Z
;
Fan TW
;
Li YF
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Wang ZG
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12