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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2001
语种:英语
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Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy
会议论文
FIRST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON MICROGRAVITY RESEARCH & APPLICATIONS IN PHYSICAL SCIENCES AND BIOTECHNOLOGY, VOLS I AND II, PROCEEDINGS, 454, SORRENTO, ITALY, SEP 10-15, 2000
作者:
Lu DC
;
Lin LY
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Transport
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LS
;
Fong WK
;
Surya C
;
Cheah KW
;
Zheng WH
;
Wang ZG
;
Surya C,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect & Informat Engn,Yuk Choi Rd,Hund Hom,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li Q
;
Xu SJ
;
Cheng WC
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Che CM
;
Yang H
;
Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu HY
;
Xu B
;
Wei YQ
;
Ding D
;
Qian JJ
;
Han Q
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu BL
;
Xu ZY
;
Wang BS
;
Deng YM
;
Yang FH
;
Ge WK
;
Liu BL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou KM
;
Liu HT
;
Hu XW
;
Zhou KM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:846/290
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YC
;
Huang CJ
;
Ye XL
;
Xu B
;
Ding D
;
Wang JZ
;
Li YF
;
Liu FQ
;
Wang ZG
;
Zhang YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu BL
;
Liu B
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Liu BL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12