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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [13]
中科院半导体材料科学... [2]
Authors
尹志岗 [5]
李成明 [1]
杨少延 [1]
张兴旺 [1]
Document Type
Patent [9]
Journal ar... [5]
Thesis [1]
Date Issued
2013 [2]
2007 [2]
2006 [7]
2005 [4]
Language
中文 [12]
英语 [3]
Source Publication
Chinese Ph... [2]
JOURNAL OF... [1]
功能材料与器件学报 [1]
半导体学报 [1]
Funding Project
Indexed By
SCI [3]
CSCD [2]
Funding Organization
国家自然科学基金,国... [1]
国家自然科学基金,国... [1]
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无权访问的条目
期刊论文
Authors:
LIU Bin, SUN Guo-Sheng, LIU Xing-Fang, ZHANG Feng, DONG Lin, ZHENG Liu, YAN Guo-Guo, LIU Sheng-Bei, ZHAO Wan-Shun, WANG Lei, ZENG Yi-Ping, LI Xi-Guang, WANG Zhan-Guo, YANG Fei
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Submit date:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
DONG Lin, SUN Guo-Sheng, YU Jun, ZHENG Liu, LIU Xing-Fang, ZHANG Feng, YAN Guo-Guo, LI Xi-Guang, WANG Zhan-Guo, YANG Fei
Adobe PDF(1017Kb)
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Submit date:2014/03/17
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
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Submit date:2009/06/11
磁控溅射仪衬底固定夹具
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
王鹏
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
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Submit date:2009/06/11
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
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Submit date:2009/06/11
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
尹志冈
;
杨霏
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Submit date:2009/06/11
在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
杨霏
;
陈诺夫
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Submit date:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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Submit date:2009/06/11
在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈诺夫
;
杨霏
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Submit date:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Wang P (Wang Peng)
;
Chen NF (Chen Nuofu)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
;
Yang F (Yang Fei)
;
Peng CT (Peng Changtao)
;
Dai RX (Dai Ruixuan)
;
Bai YM (Bai Yiming)
;
Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@semi.ac.cn
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Submit date:2010/04/11