一种制备三元高K栅介质材料的方法
李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
2006-05-31
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-11-25
语种中文
申请号200410009860
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3491
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李艳丽,陈诺夫,刘立峰,等. 一种制备三元高K栅介质材料的方法[P]. 2006-05-31.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
200410009860.pdf(375KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[李艳丽]的文章
[陈诺夫]的文章
[刘立峰]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[李艳丽]的文章
[陈诺夫]的文章
[刘立峰]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[李艳丽]的文章
[陈诺夫]的文章
[刘立峰]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。