SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2009-12-02 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置,包含:一密封操作箱为一矩形箱体,在密封操作箱的一背面开有两个圆孔,顶部有一个出气口,底部有一个进气口,正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口;两个三通过渡连接件的端口为法兰端口,该两个三通过渡连接件的一端分别与该密封操作箱上的两个圆孔连接;两个石英管的一端分别与两个三通过渡连接件的另一端水平连接;两个进气法兰盘分别与两个石英管的另一端连接;两个热壁石墨腔室分别位于两个石英管内部的中央处;两个加热器分别套置于两个石英管外部的中央处,与两个热壁石墨腔室对应;一工做台用于放置上述各部件;一真空样品交接室的一端与密封操作箱的一侧壁连接,其下端有一个排气孔,该排气孔与外部的抽真空系统连接;一进样门位于真空样品交接室与密封操作箱连接处内侧。
Application Date2008-05-28
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810113296.2
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13466
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙国胜,王 雷,赵万顺,等. 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置[P]. 2010-08-12.
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