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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun LL;  Yan FW;  Zhang HX;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY;  Yan FW;  Zhang Y;  Li JM;  Zeng YP;  Wang JX;  Gao HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hygao2005@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun X;  Jiang DS;  Liu WB;  Zhu JH;  Wang H;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  You LP;  Ma RM;  Yang H;  Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn;  dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhong, L;  Ma, XY;  Zhong, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhongli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Wang, CM;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer  
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Yang, FH;  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Mocvd  Led  Nano-pattern  Sem  Hrxrd  Pl  
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yan, JC;  Wang, JX;  Liu, NX;  Liu, Z;  Li, JM;  Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan  Gan Template  A1n Interlayer  Mocvd  Crack  Interference Fringes