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一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  黄北举;  刘金彬;  顾明;  刘海军
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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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宽带可调谐半导体激光器与相关功能器件的单片集成 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  刘泓波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZC;  Chen YH;  Xu B;  Liu FQ;  Shi LW;  Tang CG;  Wang ZG;  Wang, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Z;  Zhang, R;  Liu, B;  Xie, ZL;  Xiu, XQ;  Han, R;  Lu, H;  Zheng, YD;  Chen, YH;  Tang, CG;  Wang, ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, B;  Zhang, R;  Xie, ZL;  Xiu, XQ;  Li, L;  Kong, JY;  Yu, HQ;  Han, P;  Gu, SL;  Shi, Y;  Zheng, YD;  Tang, CG;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈雄斌;  刘丰满;  刘博;  唐君;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王俊;  白一鸣;  崇锋;  刘媛媛;  冯小明;  王勇刚;  张广泽;  刘素平;  马骁宇
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