三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
陈弘达; 黄北举; 刘金彬; 顾明; 刘海军
2008-03-05
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-08-30
语种中文
申请号200610112700
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3971
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,黄北举,刘金彬,等. 三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器[P]. 2008-03-05.
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