SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
60%电光效率高功率激光二极管阵列
王俊; 白一鸣; 崇锋; 刘媛媛; 冯小明; 王勇刚; 张广泽; 刘素平; 马骁宇
2008
Source Publication中国激光
Volume35Issue:9Pages:1323-1327
Abstract设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(914 A 2 114 6ZK 3)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3409056
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:5[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15927
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王俊,白一鸣,崇锋,等. 60%电光效率高功率激光二极管阵列[J]. 中国激光,2008,35(9):1323-1327.
APA 王俊.,白一鸣.,崇锋.,刘媛媛.,冯小明.,...&马骁宇.(2008).60%电光效率高功率激光二极管阵列.中国激光,35(9),1323-1327.
MLA 王俊,et al."60%电光效率高功率激光二极管阵列".中国激光 35.9(2008):1323-1327.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3793.pdf(455KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王俊]'s Articles
[白一鸣]'s Articles
[崇锋]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王俊]'s Articles
[白一鸣]'s Articles
[崇锋]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王俊]'s Articles
[白一鸣]'s Articles
[崇锋]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.