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| 光弹调制测量系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 张宏毅; 陈涌海; 高寒松 Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:464/2  |  提交时间:2016/08/30 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:898/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| 半导体材料微区应力测试系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 高寒松; 陈涌海; 张宏毅; 刘雨 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:697/104  |  提交时间:2014/11/17 |
| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:686/79  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:910/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:863/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:771/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 制备硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 周旭亮; 于红艳; 张心; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:601/73  |  提交时间:2014/10/31 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:864/105  |  提交时间:2014/10/24 |
| 材料的微区应力测试系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 高寒松; 陈涌海; 刘雨; 张宏毅; 黄威; 朱来攀; 李远; 邬庆 Adobe PDF(513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:933/117  |  提交时间:2014/11/24 |