一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-12-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-09-05
申请号CN201210325568.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25331
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
赵桂娟,李志伟,桑玲,等. 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法.
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