利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法
刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-12-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-09-05
申请号CN201210325584.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25273
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘长波,赵桂娟,桑玲,等. 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法.
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN(1880KB) 限制开放使用许可请求全文
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