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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Changbo;  Yang, Shaoyan;  Shi, Kai;  Liu, Guipeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Gu, Chengyan;  Zhao, Guijuan;  Sang, Ling;  Liu, Xianglin;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
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Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  谷承艳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu, Chengyan;  Lee, Chengming;  Liu, Xianglin
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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