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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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WOS被引频次升序
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
魏鸿源
;
刘祥林
;
张攀峰
;
焦春美
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Gao FB
;
Chen NF
;
Zhang XW
;
Wang Y
;
Liu L
;
Yin ZG
;
Wu JL
;
Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin ZG
;
Chen NF
;
Li Y
;
Zhang XW
;
Bai YM
;
Chai CL
;
Xie YN
;
Zhang J
;
Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Wang, ZJ
;
Qu, SC
;
Zeng, XB
;
Zhang, CS
;
Shi, MJ
;
Tan, FR
;
Wang, ZG
;
Liu, JP
;
Hou, YB
;
Teng, F
;
Feng, ZH
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Zhang, XB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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期刊论文
作者:
Wang, ZJ
;
Qu, SC
;
Zeng, XB
;
Liu, JP
;
Zhang, CS
;
Tan, FR
;
Jin, L
;
Wang, ZG
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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期刊论文
作者:
Yang, AL
;
Wei, HY
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Liu, XL
;
Song, HP
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Fan, HB
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Zhang, PF
;
Zheng, GL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
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Wang, ZG
;
Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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期刊论文
作者:
He, XW
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Shen, B
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Chen, YH
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Zhang, Q
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Han, K
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Yin, CM
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Tang, N
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Xu, FJ
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Tang, CG
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Yang, ZJ
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Qin, ZX
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Zhang, GY
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Wang, ZG
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He, XW, Peking Univ, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesosco Ph, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@pku.edu.cn
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yhchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08