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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan FR (Tan Furui);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Zhang CS (Zhang Changsha);  Shi MJ (Shi Mingji);  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Jin L (Jin Lan);  Bi Y (Bi Yu);  Cao J (Cao Jie);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Hou YB (Hou Yanbing);  Teng F (Teng Feng);  Feng ZH (Feng, Zhihui);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping 会议论文
Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics VOL 7 NO 3-4, 7 (3-4): 1109-1111 2010, Utrecht, NETHERLANDS, AUG 23-28, 2009
作者:  Shi MJ;  Zeng XB;  Liu SY;  Peng WB;  Xiao HB;  Liao XB;  Wang ZG;  Kong GL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖海波;  曾湘波;  刘石勇;  彭文博;  石明吉;  张长沙
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有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Qu SC;  Zeng XB;  Liu JP;  Zhang CS;  Shi MJ;  Tan FR;  Wang ZG;  Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng WB;  Liu SY;  Xiao HB;  Zhang CS;  Shi MJ;  Zeng XB;  Xu YY;  Kong GL;  Yu YD;  Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn;  yyxu@semi.ac.cn
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纳米硅P+层在非晶/微晶叠层电池隧道结中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  石明吉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Zhang, CS;  Shi, MJ;  Tan, FR;  Wang, ZG;  Liu, JP;  Hou, YB;  Teng, F;  Feng, ZH;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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The effect of interposing nanocrystalline Si(B) P plus layer on the photovoltaic properties of a-Si: H tandem solar cells 会议论文
PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 18-21, 2007
作者:  Shi, MJ;  Wang, ZG;  Zhang, C;  Peng, WB;  Zeng, XB;  Diao, HW;  Kong, GL;  Liao, XB;  Shi, MJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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