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Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 47-51
Authors:  Chen Xiaofeng;  Chen Nuofu;  Wu Jinliang;  Zhang Xiulan;  Chai Chunlin;  Yu Yude
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301
Authors:  张秀兰;  张富强;  宋书林;  陈诺夫;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 881-885
Authors:  沈晓明;  张秀兰;  孙元平;  赵德刚;  冯淦;  张宝顺;  张泽洪;  冯志宏;  杨辉
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应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 199-201
Authors:  徐波;  刘会贇;  王占国;  韩勤;  钱家骏;  梁基本;  丁鼎;  刘峰奇;  张金福;  张秀兰
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GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 288
Authors:  张秀兰;  朱文珍;  黄大定
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Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050
Authors:  Lin YX(林燕霞);  Huang DD(黄大定);  Zhang XL(张秀兰);  Liu JP(刘金平);  Li JP(李建平);  Gao F(高飞);  Sun DZ(孙殿照);  Ceng YP(曾一平);  Kong MY(孔梅影)
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1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 243
Authors:  钱家骏;  叶小玲;  徐波;  韩勤;  陈涌海;  丁鼎;  梁基本;  刘峰奇;  张金福;  张秀兰;  王占国
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