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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050
Authors:  Lin YX(林燕霞);  Huang DD(黄大定);  Zhang XL(张秀兰);  Liu JP(刘金平);  Li JP(李建平);  Gao F(高飞);  Sun DZ(孙殿照);  Ceng YP(曾一平);  Kong MY(孔梅影)
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SiGe/Si材料气源分子束外延生长、性质及应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1999
Authors:  刘金平
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低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559
Authors:  李建平;  黄大定;  刘金平;  刘学锋;  李灵宵;  朱世荣;  孙殿照;  孔梅影
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 287
Authors:  刘学锋;  王玉田;  刘金平;  李建平;  李灵霄;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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GSMBE原位生长SiGeHBT材料 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1049
Authors:  黄大定;  刘金平;  李建平;  林燕霞;  刘学锋;  李灵霄;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 389
Authors:  刘学锋;  刘金平;  李建平;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 896
Authors:  刘学锋;  刘金平;  李建平;  李灵霄;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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