SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布
张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英
2002
Source Publication科学通报
Volume47Issue:17Pages:1299-1301
Abstract采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。
metadata_83中国科学院半导体研究所;
Subject Area半导体材料
Funding Organization科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34),国家重大基础研究计划(批准号:G2 683),国家重大基础研究计划(批准号:G2 365),国家自然科学基金(批准号:6 176 1)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1039179
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17943
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张秀兰,张富强,宋书林,等. 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布[J]. 科学通报,2002,47(17):1299-1301.
APA 张秀兰.,张富强.,宋书林.,陈诺夫.,王占国.,...&林兰英.(2002).电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布.科学通报,47(17),1299-1301.
MLA 张秀兰,et al."电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布".科学通报 47.17(2002):1299-1301.
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