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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张富强;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  张富强;  陈诺夫;  杨瑞霞;  魏怀鹏;  刘祥林;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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GaSb 和GaN 基稀磁半导体的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
Authors:  张富强
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  张富强;  陈诺夫;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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