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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张富强;  陈诺夫
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Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2390-2395
Authors:  张富强;  陈诺夫;  杨瑞霞;  魏怀鹏;  刘祥林;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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GaSb 和GaN 基稀磁半导体的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
Authors:  张富强
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神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 期刊论文
空间科学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 455-461
Authors:  张富强;  陈诺夫;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
Authors:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 429-431
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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