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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Z. Fu;  Z. G. Yin;  X. W. Zhang;  N. F. Chen;  Y. J. Zhao;  Y. M. Bai;  D. Y. Zhao;  H. F. Zhang;  Y. D. Yuan;  Y. N. Chen;  J. L. Wu;  J. B. You
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多波长硅基混合激光器阵列研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  袁丽君
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选区金属键合  硅基混合激光器  掺fe掩埋异质结激光器  掩埋脊波导激光器  多波长混合激光器阵列  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuan, L. ,Tao, L.;  Yu, H.;  Chen, W.;  Lu, D.;  Li, Y.;  Ran, G.;  Pan, J.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu D;  Cheng XN;  Yuan HM;  Yang J;  Lin YH;  Xu, D (reprint author), Jiangsu Univ, Sch Mat Sci & Engn, Zhenjiang 212013, Peoples R China. frank@ujs.edu.cn
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在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人:  袁丽君;  于红艳;  周旭亮;  王火雷;  潘教青
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  冯玉霞;  杨少延;  魏鸿源;  焦春美;  孔苏苏
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  冯玉霞;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:679/90  |  提交时间:2014/11/05
利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  张恒;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:674/79  |  提交时间:2014/11/05