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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ;  Yang Y;  Fu SY;  Yi XY;  Wang LC;  Chen HD;  Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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Optimized design on high-power GaN-based Micro-LEDs - art. no. 684108 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Fan, JM;  Wang, LC;  Guo, JX;  Yi, XY;  Liu, ZQ;  Wang, GH;  Li, JM;  Fan, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1822/454  |  提交时间：2010/03/09
Gan-based Led  Micro-leds  Light Extraction Efficiency  Ray Tracing  Flip-chip  
The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yang, H;  Chen, Y;  Wang, LB;  Yi, XY;  Fan, JM;  Liu, ZQ;  Yang, FH;  Wang, LC;  Wang, GH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan-based Led  Grinding  Ray Tracing  
Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang, LC;  Yi, XY;  Wang, XD;  Wang, GH;  Li, JM;  Wang, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Light-emitting-diodes  Efficiency  
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王俊;  白一鸣;  崇锋;  刘媛媛;  冯小明;  王勇刚;  张广泽;  刘素平;  马骁宇
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Bai YM (Bai Yi-Ming);  Cao L (Cao Li);  Wu DJ (Wu Da-Jin);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭成晓;  翁惠民;  杨晓杰;  叶邦角;  周先意;  韩荣典
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