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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin Cong;  Qiao-Qiao Li;  Xin Zhang;  Miao-Ling Lin;  Jiang-Bin Wu;  Xue-Lu Liu;  P. Venezuela;  Ping-Heng Tan
Adobe PDF(922Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/07/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin Cong;   Jiang-Bin Wu;   Miao-Ling Lin;   Xue-Lu Liu;   Wei Shi;   P. Venezuela ;   Ping-Heng Tan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, HY (Wei, H. Y.);  Cong, GW (Cong, G. W.);  Zhang, PF (Zhang, P. F.);  Hu, WG (Hu, W. G.);  Wu, JJ (Wu, J. J.);  Jiao, CM (Jiao, C. M.);  Liu, XL (Liu, X. L.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  闫建昌;  王军喜;  张韵;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  田迎冬;  李晋闽
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
Adobe PDF(1057Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：670/67  |  提交时间：2014/11/17
一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
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InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:  李亮;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  吴亮亮;  乐伶聪;  杨辉
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具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  董鹏;  闫建昌;  王军喜;  孙莉莉;  曾建平;  丛培沛;  李晋闽
Adobe PDF(238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：671/97  |  提交时间：2014/10/28
一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：636/79  |  提交时间：2014/11/17